请问可控硅可以做成每秒开关4-8次的电源吗?要求输出24V,1A.或者有其它的电路可以做到?谢谢楼下的回答，如果能提供具体的适用电路，我将酌情追加50---100分，从不食言！

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请问可控硅可以做成每秒开关4-8次的电源吗?要求输出24V,1A.或者有其它的电路可以做到?
谢谢楼下的回答，如果能提供具体的适用电路，我将酌情追加50---100分，从不食言！

请问可控硅可以做成每秒开关4-8次的电源吗?要求输出24V,1A.或者有其它的电路可以做到?谢谢楼下的回答，如果能提供具体的适用电路，我将酌情追加50---100分，从不食言！

可控硅原理  可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等.可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点.它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件.（如图） 

  晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路 

  双向晶闸管的结构与符号见图.它属于NPNPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G.因该器件可以双向导通,故除门极G以外的两个电极统称为主端子,用T1、T2.表示,不再划分成阳极或阴极.其特点是,当G极和T2极相对于T1,的电压均为正时,T2是阳极,T1是阴极.反之,当G极和T2极相对于T1的电压均为负时,T1变成阳极,T2为阴极.双向晶闸管的伏安特性见图3,由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通. 

  从晶闸管的内部分析工作过程： 

  晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管. 

  当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导铜,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用.图中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流.因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通. 

  设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0, 

  晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和： 

  Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0 

  若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig 

  从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）

  硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图所示. 

  当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式（1—1）中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态.当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结.这样强烈的正反馈过程迅速进行.从图,当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时,式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定.晶闸管已处于正向导通状态.

  式（1—1）中,在晶闸管导通后,1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通.晶闸管在导通后,门极已失去作用.

  在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-（a1+a2）≈0时,晶闸管恢复阻断状态.

  另外如是直流,电流1A也不大,可采用开关三极管控制,再配加触发电路控制即可.现在市场上1-10A的功率管很容易买到.

交流可自行关断,直流就麻烦了

不知是怎么的电源

完全可以。可控硅的开关速度可以做到每秒数百次