作业帮电子从静止出发被1000V的高压加速,然后进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电电子从静止出发被1000V的高压加速,然后进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电场，进入时的速度方向与偏
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/28 12:57:26
电子从静止出发被1000V的高压加速,然后进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电电子从静止出发被1000V的高压加速,然后进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电场，进入时的速度方向与偏
电子从静止出发被1000V的高压加速,然后进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电
电子从静止出发被1000V的高压加速,然后进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电场，进入时的速度方向与偏转电场的方向垂直。一直偏转电极长6cm，求电子离开偏转电场时的速度及其进入偏转电场时的速度方向之间的夹角
电子从静止出发被1000V的高压加速,然后进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电电子从静止出发被1000V的高压加速,然后进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电场，进入时的速度方向与偏
电子从静止出发被1000V的电压加速,然后沿着与电场垂直的方向进入另一个电场强度为5000N/C的匀强偏转电场,进入方向与电场强度方向垂直.已知偏转电极长6cm,求电子离开偏转电场时的速度及其与进入偏转电场时的速度方向之间的夹角.
加速时：qU1=(1/2)m*Vo²
偏转距离：Y=(1/2)at²=(1/2)(qE/m)(L/Vo)²
由上两式：
Y=(EL²)/(4U1)
=(5000×0.06²)/(4×1000)
=0.0009m
电子离开偏转电场时的速度:
q(U+E*Y)=(1/2)m*V²
V=√[2q(U+EY)/m]
=√[2(1.6×10^(-19))(1000+5000×0.0009)/(9.1×10^(-31))]
≈1.88×10^7m/s
与进入偏转电场时的速度方向之间的夹角:
tanθ=Vy/Vo
=[√(2aY)]/[√(2qU1/m)]
=[√(2(qE/m)Y)]/[√(2qU1/m)]
=√(EY/U)
=√(5000×0.0009/1000)
=√0.0045
≈0.067
θ≈3.84°