作业帮为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V,
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/03 23:22:58
为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V,
为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V,
为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V,
Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正,结果形成扩散势.扩散势的数值与材料和掺杂浓度有关.对于硅,掺杂浓度百万分之一时,扩散势就是大约0.7V.扩散势计算,可以阅读半导体物理学著作及模拟电子技术教科书.pn结即三极管发射结导通后,0.7V扩散势就作为正向压降即发射结压降体现出来.
晶体管集电极电流首先降落在电阻Rc或者Re上,其次才落在晶体管集电极与发射极上.由于Ic或Rc比较大,Rc压降比较大,结果晶体管集电极与发射极压降很小了,就是晶体管饱和.饱和时Uce不应总是0.3V.小功率管也可能是0.1V,大功率管还可能是1V.
为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V,
三极管临界饱和与深度饱和问题那么三极管临界饱和时的定义是UBE等于UCE,而三极管导通时UBE等于0.7V,但求临界饱和电流IBS时用的UCES是0.3V,为什么不是0.7V呢
模拟电子技术,三极管.以下是三极管的管压降,说明每个管子是NPN时是在何种状态,是PNP时又在何种状态?Ube=0.7V,Uce=0.3VUbe=0.7V,Uce=4VUbe=0V,Uce=4VUbe=-0.2V,Uce=-0.3VUbe=-0.2V,Uce=-4VUbe=0V,Uce=-4V 请说明知识
三极管 为什么Uce
三极管判断是NPN时工作在什么状态?是PNP时工作在什么状态?1,Ube=-0.2V,Uce=-0.3V,2,Ube=-0V,Uce=-4V
三极管饱和时为何UCE≈0那但是因为UBE-0.7 UCE小于它那么 就接近0
三极管饱和时Uce压降多大npn饱和时候压降Uce多大.放大时候可以算,饱和时候不知道多大
测得三个硅材料NPN型三极管的极间电压Uce和Ube分别如下试问：它们各处于什么状态?为什么?(1)Ube=6V,Uce=5v;(2）Ube=0.7v,Uce=0.5v;(3)Ube=0.7v,Uce=5v.2:测得三个硅材料PNP型三极管的极间电压Uce和Ube分别如
在电路中测得三极管两个电极之间的电压Ube=0.72V,Uce=0.3V 判别三极管工作在什么
.已知晶体管的β=100,UBE=0.7V,若要求UCE=3V,则UB=?
三极管Uce=Vcc-Ic*Rc,Ic增大Uce应该减小,而输出特性曲线中恰好相反,与公式相违背三极管Uce=Vcc-Ic*Rc,Vcc和Rc已知,Ic增大Uce应该减小,而输出特性曲线中恰好相反,与公式相违背,为什么?另外如何增大
输出特性曲线饱和区的饱和是指什么饱和,依据Ucc-Ic*Rc=Uce,Uce上升,Ic下降,而Ic却随Uce上升而上升,...输出特性曲线饱和区的饱和是指什么饱和,依据Ucc-Ic*Rc=Uce,Uce上升,Ic下降,而Ic却随Uce上升而上升
请问当三极管刚刚饱和时,Uce=Ube,管压降Uces,这时测量发射机和集电极之间电压是哪个呢?、
请问当三极管刚刚饱和时,Uce=Ube,管压降Uces,这时测量发射机和集电极之间电压是哪个呢?
请问当三极管刚刚饱和时,Uce=Ube,管压降Uces,这时测量发射机和集电极之间电压是哪个呢?
三极管工作在饱和区的时候,Uce
三极管输出特性曲线中,当Uce从0v增大时,Ib一开始是可以随着Uce的变化而变化的,那曲线是怎么绘制的?
测得半导体三极管的电压UB=6V UE=6.7V UC=3V 则该管是PNP还是NPN管 工作在放大 饱和还是截止状态 求分析啊